实验室在中国工程物理研究院和依托单位学科建设经费、运行费的支持下，联合组建了上海EBIT 装置。5 年来开展了许多高电荷态及相关物理方面的实验研究，累计运行时间30000 小时以上。设备建设至今，联合中国工程物理研究院开展了四轮为期近8 个月的实验研究。在日常的运行维护过程中，我们也非常注重EBIT 装置本身的性能提升及功能开发，以国际最快速度达到了电子束能量130keV，束流强度160mA，在国际上已建成的9 台低温EBIT中排名第三。对于外围诊断设备和元素注入装置也投入了大量的精力。引进了一台McPHERSON 谱仪（Model 789A-3）和两台高纯锗探测器，自主研发了平面晶体谱仪、平焦场谱仪、全信息带电粒子动量谱仪、电子束狭缝成像系统、高电荷态离子引出系统、微量气体注入源、MEVVA（金属蒸气真空电弧）离子源、激光离子源、金属丝插入源、K-CELL（金属蒸气注入）源等等。另外还有一台用于高效率和高分辨率测量X 射线的微卡计正在与哈佛大学合作研制过程中，其特点是测量能量范围广、测量精度高及探测效率高。根据计划，微卡计将于2010 年初用于实验研究。

       实验室对80 年代末引进美国NEC 公司的2×3MV 串列加速器（9SDH－2）部分易损易耗部件及时进行更换，保证主设备的完好，每年的有效机时数1000小时左右。与加速器配套的主要设备有微米束探针系统、卢瑟福背散射测量靶室、MeV 离子束注入系统、沟道三维定角器、质子激发X 荧光分析系统。

       以上二台主设备实行统一的管理，有专人负责并配备专职工程技术人员进行运行维护。以上海EBIT装置的光谱平台、碰撞平台建设以及加速器束流管道为基础对外进行开放和共享。